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IRF7471PBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7471TR詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7471TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7471TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7471TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ISC1210SY3R3J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 3.3UH 5% 1210
E39-S60
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT .5MM SEAL TYPE FOR E32-T16
IRF9530NL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
IRF7468TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
ISL6227IAZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專(zhuān)用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC CONTROLLER DDR, DDR2 28QSOP
HCP1305-R68-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 0.68UH
HFW4A1196S01
功率，高于 2 安 TE Connectivity RELAY GEN PURPOSE DPDT 4A 26.5V
H3BXG-10106-B4-ND
跳線(xiàn)，預(yù)壓接線(xiàn) Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015B/X 6"
ISC1210SY470J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 47UH 5% 1210
IRF9530NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
HFW4R-1STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線(xiàn)）- 連接器 - 面板安裝 FCI CONN FPC/FFC 4POS 1MM R/A SMD
ISL6228EVAL3Z
評(píng)估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線(xiàn)）SMPS Intersil 28-VFQFN 裸露焊盤(pán) EVALUATION BOARD FOR ISL6228
HCPL-0201-500E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPTOCOUPLER LOG-OUT 5MBD 8-SOIC
ISC1210SY680J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 68UH 5% 1210
E39-S61
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT .5MM INSERT TYPE FOR E3S-CT

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IRF7471供應(yīng)商

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IRF7468TRPBF

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HCP1305-R68-R

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IRF9530NPBF

HFW4R-1STE1LF

ISL6228EVAL3Z

HCPL-0201-500E

ISC1210SY680J

E39-S61