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IRF740STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF740STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF740STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF740STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF740STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF740STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ISC1210EBR10J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100NH 5% 1210
HC1-100-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER HI CURR 10UH SMD
IRF8327STRPBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
IRF740PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
E39-S47
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLITS .5MM 1MM 2MM FOR E3S-B
HCNW4503-300E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER T-OUT 1MBD GW 8SMD W
H3BKH-6418G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR64H/AE64G/HPK64H
HFW12R-2STE1
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 徑向，圓盤 HFW12R-2STE1-FFC/FPC CONN
ISC1210EBR47J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 470NH 5% 1210
HC1-1R7-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR HI CURR 1.7UH SMD
E39-S47
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLITS .5MM 1MM 2MM FOR E3S-B
HCNW4506#300
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER IPM DRVR 8-SMD GW
HFW12S-2STE1LF
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 FCI 徑向，圓盤 CONN FPC/FFC 12POS 1MM VERT SMD
ISC1210EBR47M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 470NH 20% 1210
IRF840LC
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

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