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IRF740LC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF740LCL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF740LCPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF740LCS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF740LCSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF740LCSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF830ASTRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
IRF740LCSTRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
HFU331KBFEJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 6KV 10% RADIAL
E39-S46
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLITS .5MM 1MM 2MM FOR E3S-AT
ISC1210EB8R2K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 8.2UH 10% 1210
H3BKH-5036M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR50H/AE50M/HPK50H
HFW1196S01
信號，高達(dá) 2 A TE Connectivity 徑向，圓盤 RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 26.5V
HC006A6A1Z
DC DC Converters GE 18-DIP 模塊（6 引線） CONVERTER DC/DC 5.0V 6.6A OUTPUT
HCNW4503-000E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER T-OUT 1MBD 8DIP WIDE
E39-S47
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLITS .5MM 1MM 2MM FOR E3S-B
H3BKH-6006M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR60H/AE60M/HPK60H
HFW1201D00
信號，高達(dá) 2 A TE Connectivity 徑向，圓盤 RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 26.5V
ISC1210EBR10J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100NH 5% 1210
HC1-100-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER HI CURR 10UH SMD
IRF8327STRPBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

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