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IRF7220詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：14V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7220GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：14V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7220GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：14V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7220GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：14V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7220TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：14V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7220TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：14V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

DTS26F25-29PC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 29POS PIN
IRF7805ATRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
HCM49-5.000MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 5.000 MHZ 18PF SMD
HBU271KBBCJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 270PF 2KV 10% RADIAL
IRF720SPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
HBC13DREI-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
H3BBS-2436G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR24S/AE24G/HSR24S
IMP4-2L0-1Q0-08-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F25-29PD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 29POS STRGHT W/PINS
HBU330KBBUARKR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 33PF 2KV 10% RADIAL
IRF7805TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
HBC13DREN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
H3BBS-2436M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR24S/AE24M/HSR24S
DTS26F25-29PD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 29POS PIN
IMP4-2L0-2L0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY