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IRF7103PBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF7103Q詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：255pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF7103QTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：255pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7103QTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：255pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7103TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7103TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：50V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165-FPBGA
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 155.52 MHZ 3.3V LVDS SMD
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 1M
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9PF 50V T2H 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165-FPBGA
- 保險絲 Cooper Bussmann 盒，非標準 FUSE 30A 500V HS FERRULE
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 1M
- FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSF N CH 30V 8.2A TSOP6
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9.2PF 50V T2H 0402
- 保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 圓柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 450A 500V HS BOLT-ON
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
0755-82575207 
