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IRF6648TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MN; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6648TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MN; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6648TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MN; 包裝：Digi-Reel®

IRF6648TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MN; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6648TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MN; 包裝：帶卷 (TR)

KTR18EZPJ332
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 3.3K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
IRF6646TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
L78M12ABDT-TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 12V .5A DPAK
IXGH45N120
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 TRANSISTOR IGBT N-CHAN 1200V
K221K15C0GH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL
LMX2485SQ/NOPB
時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 24-WFQFN 裸露焊盤 IC PLL FREQ SYNTH 3GHZ 24-LLP
LM7321QMFX/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OPAMP RRIO 20MHZ SOT23-5
ISL6842IRZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-VFDFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR PWM CM 8-DFN
KTR18EZPJ333
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 33K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
IXGH48N60A3D1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 300A 600V TO-247AD
K221K15C0GL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 500V 10% RADIAL
LMX2485SQX/NOPB
時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments * IC FREQ SYNTH 3GHZ 24-LLP
LM7322MAX/NOPB
未定義的系列 Texas Instruments * IC AMP DUAL RRIO 16MHZ 30V 8SOIC
ISL6842IUZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG CTRLR PWM CM 8MSOP
KTR18EZPJ335
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 3.3M OHM 1/4W 5% 1206 SMD

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IRF6648TR1 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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IRF6648TR1供應(yīng)商

KTR18EZPJ332

IRF6646TRPBF

L78M12ABDT-TR

IXGH45N120

K221K15C0GH5TH5

LMX2485SQ/NOPB

LM7321QMFX/NOPB

ISL6842IRZ-T

KTR18EZPJ333

IXGH48N60A3D1

K221K15C0GL53H5

LMX2485SQX/NOPB

LM7322MAX/NOPB

ISL6842IUZ-T

KTR18EZPJ335