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IRF6637TR1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6637TR1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6637TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6637TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6637TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：Digi-Reel®

IRF6637TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：剪切帶 (CT)

GTC02R-28-84S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 9POS BOX MNT W/SCKT
DTS20W25-19BE
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 19POS SKT
IRF6636TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
DTS24F23-55SD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 55POS SKT
IMP4-3E0-1D0-1L0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26W15-18AE
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 18POS PIN
DTS20W25-19JA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 19POS FLANGE W/SKT
GTC02R-32-5S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 2POS BOX MNT W/SCKT
DS2167QN/T&R
線性 - 音頻處理 Maxim Integrated 28-LCC（J 形引線） IC PROC ADPCM 16/24/32K 28-PLCC
DTS26W15-18AN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 18POS PIN
IMP4-3E0-1D-1L0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
GTC02R-32-5S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 2POS BOX MNT W/SCKT
DTS20W25-19JE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 19POS FLANGE W/SKT
DS2180A
接口 - 電信 Maxim Integrated 40-DIP（0.600"，15.24mm） IC TRANSCEIVER T1 40-DIP
IRF6638TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET

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