

IRF6626詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2380pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? ST
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6626詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2380pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? ST
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6626TR1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2380pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? ST
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6626TR1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2380pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? ST
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6626TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2380pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? ST
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6626TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.4 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.35V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2380pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 ST
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? ST
- 包裝:帶卷 (TR)
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 55POS PIN
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 55POS SKT
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Maxim Integrated 28-LCC(J 形引線) IC LIU T1/J1 5V 28-PLCC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP DIFF 1.5MHZ SGL 8SOIC
- 圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 37POS BOX MT SCKT
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 15POS STRGHT W/SKT
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 55POS PIN
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 過時/停產零件編號 Maxim Integrated KIT TRANSCEIVER T1 DESIGN DS2151
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP DIFF 1.5MHZ SGL 8SOIC
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SCKT
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 55POS SKT
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 15POS STRGHT W/SKT