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IRF6215STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6215STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF6215STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6215STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6215STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

GP11MCKE
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
H2MXH-6018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60M/X
IRF6215L-103PBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
IPI45N06S4-09
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
FGB.0B.307.CLAD52Z
連接器，互連器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 7CTS C-COL
H2BBT-10105-R4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015R/H1500TR 5"
H2MXH-6406G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM64H/AE64G/X
IRF7704GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
GP11MSABE
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
H2BBT-10105-V4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015V/H1500TR 5"
FGB.1B.304.CLAD52Z
連接器，互連器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 4CTS C-COL
IPI60R099CPA
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
IRF7704TR
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
H2MXS-1036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM10S/AE10M/X
GP11MSAKE
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V

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