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IRF610S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF610SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF610STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

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IRF610STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF610STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

GSIB680-E3/45
橋式整流器 Vishay General Semiconductor 4-SIP，GSIB-5S DIODE 6A 800V GSIB-5S
DTS26W11-99HE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 7POS STRGHT W/PINS
IRF610L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
DTS24F21-39HN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS JAM NUT W/PINS
DS1868E-100
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Maxim Integrated 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC POT DIGITAL DUAL 100K 20TSSOP
IMX2T108
晶體管(BJT) - 陣列 Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
DTS20W21-39JA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS FLANGE W/SKT
GTC01LCF-28-7P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 2POS INLINE W/PINS
GSM02DRAN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP，GSIB-5S CONN EDGECARD 4POS R/A .156 SLD
DTS24F21-39JD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS JAM NUT W/SKT
DS1868E-50
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Maxim Integrated 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC POT DIGITAL DUAL 50K 20-TSSOP
GTC01R-20-27P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 14POS INLINE W/PINS
DTS20W21-39JC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS FLANGE W/SKT
GSM02DSEN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP，GSIB-5S CONN EDGECARD 4POS .156 EXTEND
IMX4T108
晶體管(BJT) - 陣列 Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 TRANS DUAL NPN 20V 50MA SOT-457

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GSIB680-E3/45

DTS26W11-99HE

IRF610L

DTS24F21-39HN

DS1868E-100

IMX2T108

DTS20W21-39JA

GTC01LCF-28-7P

GSM02DRAN

DTS24F21-39JD

DS1868E-50

GTC01R-20-27P

DTS20W21-39JC

GSM02DSEN-S13

IMX4T108

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