IRF5800詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
- 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）
- 包裝：管件
IRF5800TR詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
- 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF5800TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
- 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF5800TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
- 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF5800TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：535pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
- 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）
- 包裝：Digi-Reel®
IRF5801TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：600mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 歐姆 @ 360mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：88pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
- 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div ETHERNET NET MODULE FORCS1
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） INTELLIGENT POWER SW 2CH 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 12A SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CS1D DUAL IO CONTROL UNIT
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CS1D DUAL IO CONTROL UNIT
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CS1D DUAL IO CONTROL UNIT
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div POWER SUPPLY FOR CS1 DUPLEX
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24VDC POWER SUPPLY
- 箱 Bud Industries TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA BOX ALUM 10.79X6.81X3.94" NAT
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 4.7UH 10A SMD
- FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
0755-82575207 
0755-83222787 
