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IRF540STRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF540STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF540STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF540STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

LMV822IDT
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP LP RR DUAL 8SOIC
K180J15C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL
IRF540NSPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
ECQ-E6394JFB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.39UF 630VDC RADIAL
KTR10EZPF4R70
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.70 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
ISL6612ACBZR5214
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
K183K15X7RF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
IXFT14N100
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
K180J15C0GH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL
ECQ-E6394JFW
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.39UF 630VDC RADIAL
ISL6612ACR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
KTR10EZPF5103
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 510K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
K183K15X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
IXFT15N80Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 800V 15A TO-268
LMV822IST
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP GP LP RR DUAL 8MSOP

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ECQ-E6394JFB

KTR10EZPF4R70

ISL6612ACBZR5214

K183K15X7RF53L2

IXFT14N100

K180J15C0GH5TL2

ECQ-E6394JFW

ISL6612ACR

KTR10EZPF5103

K183K15X7RF5TH5

IXFT15N80Q

LMV822IST

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