IRF540N_R4942詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 33A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：79nC @ 20V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 25V
- 功率_最大：120W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF540NL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF540NLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF540NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF540NSPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF540NSTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1960pF @ 25V
- 功率_最大：130W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP INSTR 6MHZ SGL 16DIP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT PNP MIL
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模塊 POWER MOD DC/DC 3.3-6.5V@3A 20W
- 單芯導線 Daburn Electronics WIRE TFE HV RED 20AWG .255 IN
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模塊 POWER MOD DC/DC 3.3-6.5V@3A 20W
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 10UH 7A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
- 單芯導線 Daburn Electronics WIRE TFE HV RED 20AWG .215 IN
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模塊 POWER MOD DC/DC 8.0 15.0V 3A SMD
- 單芯導線 Daburn Electronics WIRE TFE HV BLACK 22AWG .097 IN
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.5UH 19A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments TO-99-8 金屬罐 IC OPAMP DIFF 200KHZ SGL TO-99-8
021-62153656青 
0755-23919407 
