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IRF520N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF520NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF520NLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF520NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF520NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF520NSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IPR3SAD2L0Y
按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
IRF520N
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
IRF7526D1TR
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
E32-T17L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER W/LENS M14 THRUBEAM
IRF640FP
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
HCM24DSUS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 DIP SLD
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按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
DTS26F21-16AD
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 16POS PIN
IMP1-3N0-1N0-2C0-31-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
E32-T21
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER MULTI STRAND 5CM M3
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FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
HCM24DSXS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD
IPR3SAD6L0G
按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
IMP1-3N0-1O0-1O0-1O0-1L0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
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圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 16POS SKT

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