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IRF3709ZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：87A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 21A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3709ZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：87A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 21A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3709ZSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：87A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 21A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3709ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：87A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 21A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3709ZSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：87A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 21A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3709ZSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：87A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 21A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

CY7C1361C-133AJXCT
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100LQFP
HLMP-AL90-RSYZZ
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM ALINGAP2 AMBER 30X70DEG
IRF3709ZL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
IXFQ28N60P3
FET - 單 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
HFBR-4411
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST
IRFR2905ZTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
ISL88015EVAL1Z
評(píng)估演示板和套件 Intersil SC-74A，SOT-753 BOARD EVALUATION FOR ISL88015
FVXO-LC52B-311
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 311 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C136-25NXCT
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 25NS 52QFP
HFBR-4411Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST
IXFR12N100Q
FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
ISL88016IHTZ-T7A
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 IC VOLT SUPERVISOR TSOT23-6
IRFR310
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
FVXO-LC52BR-150
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 150 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C1362S-200AXC
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 512KX18 3.3V SYN 100TQFP

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