

IRF3707ZCL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3707ZCLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3707ZCS詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3707ZCSPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3707ZCSTRLP詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3707ZCSTRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:59A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1210pF @ 15V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3048Y/X 8"
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
- 薄膜 AVX Corporation 徑向,Can - 螺絲端子 CAP FILM 30UF 900VDC SCREW
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60M/HDM60H
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049R/X 5"
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3049Y/X 10"
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MULTIPLE IO 4 T/C INPUTS
- 薄膜 AVX Corporation 徑向,Can - 螺絲端子 CAP FILM 65UF 900VDC SCREW
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM64H/AE64M/HDM64H
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048W/X 5"
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3048Y/X 10"
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MULTIPLE IO 4 T/C INPUTS