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IRF3704ZCLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：67A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3704ZCS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：67A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3704ZCSTRLP詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：67A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3704ZCSTRRP詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：67A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3704ZLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：67A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3704ZPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：67A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IMP8-3V-2W-1L-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
F152K53Y5RP63K7R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 1500PF 2KV 10% RADIAL
CRT1-OD16TAH-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16 OUT PNP 3 TIER
IRF3704ZLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
IPD068P03L3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
CRT1-OD16TAH-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16 OUT PNP 3 TIER
IPD075N03L G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IHLP2525CZERR33M06
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 0.33UH 20A SMD
IMP8-3W-3W-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
CRT1-OD32S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN ECON
IPD082N10N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
CRT1-OD32SH
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN ECON
IPD090N03L G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
IHLP2525CZERR33M07
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 0.33UH 20A SMD
IMPSERIESCONFIGURABLE
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power POWER SUPPLY IMP SERIES CONFIG

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