IRF1405ZSTRL 全國供應商、價格、PDF資料
IRF1405ZSTRL-7P詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 88A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK(7-Lead)
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF1405ZSTRL7PP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 88A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF1405ZSTRL7PP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 88A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF1405ZSTRL7PP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 88A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF1405ZSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF1405ZSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
- 功率_最大:230W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 16-WFDFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR PWM CM 16-LLP
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 14-DIP(0.300",7.62mm) RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- FET - 單 International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-WFDFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 1W MONO 10LLP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 15V 1A TO-263
- 未定義的系列 Texas Instruments * IC REG BUCK 12V 3A TO263-7
- PMIC - AC-DC 轉換器,離線開關 Fairchild Semiconductor 8-DIP(0.300",7.62mm) IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV 8DIP
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC AMP AUDIO PWR 1W MONO 8MSOP
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA IC REG LDO 9V 1A TO-263
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments TO-263-8,D²Pak(7 引線+接片),TO-263CA IC REG BUCK 5V 3A TO263-7
- PMIC - AC-DC 轉換器,離線開關 Fairchild Semiconductor TO-220-4 全封裝(成形引線) IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO220
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC AMP AUDIO PWR 1W MONO 8MSOP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB