

IRF1405LPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 131A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:131A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 101A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5480pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF1405PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:169A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 101A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5480pF @ 25V
- 功率_最大:330W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF1405S詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:131A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 101A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5480pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF1405SPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:131A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 101A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5480pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF1405STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:131A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 101A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5480pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF1405STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:131A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 101A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5480pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 熱縮管 3M 1812(4532 公制) HEAT SHRINK IMCSN 3000 BK 25FT
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRUBEAM SIDEVIEW
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 8POS PIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標準 CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND
- FET - 單 Infineon Technologies 4-TSFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON
- 熱縮管 3M 1812(4532 公制) HEAT SHRINK IMCSN 4300 BK 25 FT
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 23POS STRGHT W/SKT
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 8POS JAM NUT W/PINS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRUBEAM SIDEVIEW
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 23POS STRGHT W/SKT
- 儀表 - 面板,數字 Red Lion Controls 1812(4532 公制) W/EXC & ALARMS 115/230VAC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標準 CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模塊 POWER MOD DC/DC 0.9 5V 4A SMD