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IRF1404ZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4340pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1404ZSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4340pF @ 25V; 功率_最大：220W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1404ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4340pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1404ZSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4340pF @ 25V; 功率_最大：220W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1404ZSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4340pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFZ24NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
E3Z-R81-G0SRW-M1
光學(xué) - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，導(dǎo)線引線，帶連接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M12 CONN
IRF1404ZSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
E39-L42
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
IRL640STRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
HM17-664471LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
ISL3179EIBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 ESD 8SOIC
IRFZ24NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
IRFP448PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
E39-L42
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
HM17-664560LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRL7833S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
ISL3179EIRZ-T
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 TXRX ESD 3.3V RS-485/422 10-DFN
IRFZ30
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
IRFP460LC
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

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IRF1404ZS 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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IRF1404ZS供應(yīng)商

IRFZ24NSTRLPBF

E3Z-R81-G0SRW-M1

IRF1404ZSTRR

E39-L42

IRL640STRR

HM17-664471LF

ISL3179EIBZ-T7A

IRFZ24NSTRLPBF

IRFP448PBF

E39-L42

HM17-664560LF

IRL7833S

ISL3179EIRZ-T

IRFZ30

IRFP460LC