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FQPF8N60C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1255pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF8N60CFT詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.26A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 3.13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1255pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF8N60CT詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1255pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF8N60CYDTU詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1255pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF8N80C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 25V; 功率_最大：59W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

FQPF8N80CYDTU詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 25V; 功率_最大：59W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220F; 包裝：管件

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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 14POS .100 EXTEND
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熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 320X320X0.5MM W/ADH
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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 700V 3.5A TO-220F
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD
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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD
GMC07DRYS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD
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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 14POS .100 EYELET
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熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 300X300X1MM W/ADH
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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F