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FQD8P10TM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD8P10TM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD8P10TM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD8P10TM_F080詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD8P10TM_F085詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

FQD8P10TM_SB82052詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDG901D
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
FP-301 1 1/2" YL 100’
熱縮管 3M 非標準 HEATSHRINK FP301 1-1/2" 5’ YELL
EBC35DCMH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS .100 EXTEND
GCC18DRTN-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
FE2X10-3-2NL
共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 垂直式，4 PC 引腳 CHOKE COM MODE 2PHASE NOISE SUP
FDH50N50_F133
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
FQD7P20TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
ESM06DTBN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
FE-41164
配件 Honeywell Sensing and Control - INFRARED SENSOR COMPONENT PART
FDH700
單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE 20V 150MA DO35
ESM06DTBS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
FE-41164
配件 Honeywell Sensing and Control - INFRARED SENSOR COMPONENT PART
GCC18DRXN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
FQI13N50CTU
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
ESM06DTBT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD

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FQD8P10TM詳細規格

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FP-301 1 1/2" YL 100’

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FE2X10-3-2NL

FDH50N50_F133

FQD7P20TM

ESM06DTBN-S189

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