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FQD7N10LTM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD7N10LTM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD7N10LTM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

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FQD7N10LTM 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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