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FQD7N10LTF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD7N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD7N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD7N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD7N10TM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD7N10TM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

GLZ301
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH CONTACT BLOCK SNAP SPDT
ECW-F4364RHB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.36UF 400VDC RADIAL
GLZ301-F01
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY CONTACT BLOCK
ECW-F4393RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.039UF 400VDC RADIAL
GLZ301-F01
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY CONTACT BLOCK
FQD6P25TF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
ECW-F4393RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.039UF 400VDC RADIAL
GLZ302
快動，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control GLZ3 GLOBAL LIMIT SW SNAP-ACTION
ECW-F4433HL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.043UF 400VDC RADIAL
ECW-F4434HL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.43UF 400VDC RADIAL
GLZ307
快動，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control GLZ3 GLOBAL LIMIT SW NON PLUG
ECW-F4434HLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.43UF 400VDC RADIAL
GLZ312
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY CONTACT BLOCK
FQD7P06TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
ECW-F4434RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.43UF 400VDC RADIAL

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