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FQA11N90詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：960 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：94nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P; 包裝：管件

FQA11N90_F109詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：960 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：94nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P; 包裝：管件

FQA11N90C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 5.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P; 包裝：管件

FQA11N90C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 5.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P; 包裝：管件

FQA11N90C_F109詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 5.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P; 包裝：管件

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RF配件 Digi International CONN 20’ RPSMA-MALE TO RPSMA FEM
IRLR7821TRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
FQA11N90C
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
IRFZ44N,127
FET - 單 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
CY7C199D-10ZXIT
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP
FWS-2A20F
保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標(biāo)準(zhǔn) FUSE 2A 2100V 20X127MM IEC
IRF7379TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
JRC16BR-10S(71)
連接器，互連器件 Hirose Electric Co Ltd CONN RECEPT 10 POS SOCKET SILVER
HFBR-RUD500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 500M
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FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
FWS-6A20FI
保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 圓柱形，報(bào)警指示 FUSE 6A 2100V 20X127MM IEC
CY7C199NL-15ZXCT
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP
IRF737LCPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
JRC16BR-14S(71)
連接器，互連器件 Hirose Electric Co Ltd CONN RECEPT 14 POS SOCKET SILVER
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FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

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