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DTD113ZKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTD113ZKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTD113ZKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTD113ZUT106詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 500MA SOT-323; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTD113ZUT106詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 500MA SOT-323; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTD113ZUT106詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 500MA SOT-323; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DS89C430-QNG+
嵌入式 - 微控制器， Maxim Integrated 44-LCC（J 形引線） IC MCU FLASH 16KB 25MHZ 44-PLCC
DCM17X5PJK87
D-Sub ITT Cannon DSUB 17X5 M PCR/A G 50OHM T
DTD113ZUT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS NPN 50V 500MA SOT-323
CLE-160-01-G-DV
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc DO-214AC，SMA CONN RCPT 120PS .8MM DL GOLD SMD
CY7C1470BV33-167BZCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 167MHZ 165LFBGA
BAS85-GS08
單二極管/整流器 Vishay Semiconductors SOD-80 DIODE SCHOTKY SS 30V 200MA SOD80
CY3212-32MLF
配件 Cypress Semiconductor Corp KIT FLEX POD FOR CY8C21X 32-QFN
DS89C430-QNL+
嵌入式 - 微控制器， Maxim Integrated 44-LCC（J 形引線） IC MCU FLASH 16KB 33MHZ 44-PLCC
DCM-2
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 5AG，10mm x 38.1mm FUSE 2A 600V FST MIDGET UL CSA
CLE-162-01-G-DV
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc DO-214AC，SMA CONN RCPT 124PS .8MM DL GOLD SMD
CY7C1470BV33-167BZIT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 167MHZ 165LFBGA
BAS86,115
單二極管/整流器 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80C
CY3212-32MLF2
配件 Cypress Semiconductor Corp KIT FLEX POD FOR CY8C21634
DCM21HA4PNK127
D-Sub ITT Cannon 5AG，10mm x 38.1mm DSUB M 21HA4 PCB G30 HP T
DS9092-1+
存儲器 - PC 卡 - 連接器 Maxim Integrated 探頭組件 IBUTTON PROBE CONTACT PARALLEL

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