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DTC143EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：帶卷 (TR)

DTC143EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC143EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC143EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTC143EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：4.7k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

IDT72V2111L15PF
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SS 512X9 15NS 64QFP
LGN2W391MELB50
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 390UF 450V 20% SNAP
DTC143EM3T5G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SOT-723 TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723
IMC0805ERR47J01
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR WW 470NH 5% 0805
LLL185R71E103MA11L
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制）寬（長側(cè)）0306（0816 公制） CAP CER 10000PF 25V 20% X7R 0306
GRM319R71C105MC11D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V 20% X7R 1206
DSA750400L
晶體管(BJT) - 單路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-243AA TRANS PNP 20V 4A MINIP3
DS1045S-3+T&R
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 16TAP 16-SOIC
IDT72V2111L15PFGI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 3.3V 15NS 64-TQFP
IMC0805ERR56J01
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR WW 560NH 5% 0805
LLL185R71E153MA11L
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制）寬（長側(cè)）0306（0816 公制） CAP CER 0.015UF 25V 20% X7R 0306
DSA75-12B
單二極管/整流器 IXYS DO-203AB，DO-5，接線柱 DIODE ANODE 1200V 110A DO-203AB
IDT72V211L10PF
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO SYNC 512X9 10NS 32-TQFP
DS1050Z-001
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 專用 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC PWM 5BIT 1KHZ 2-WIRE 8SOIC
GRM319R71C564KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.56UF 16V 10% X7R 1206

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DTC143EM 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

DTC143EM3T5G詳細(xì)規(guī)格

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DTC143EMT2L詳細(xì)規(guī)格

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DTC143EM供應(yīng)商

IDT72V2111L15PF

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DTC143EM3T5G

IMC0805ERR47J01

LLL185R71E103MA11L

GRM319R71C105MC11D

DSA750400L

DS1045S-3+T&R

IDT72V2111L15PFGI

IMC0805ERR56J01

LLL185R71E153MA11L

DSA75-12B

IDT72V211L10PF

DS1050Z-001

GRM319R71C564KA01D