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DTC123JEBTL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123JET1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/47K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123JET1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/47K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75; 包裝：Digi-Reel®

DTC123JET1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/47K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123JET1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/47K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC123JETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

D38999/20FE26PN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS WALL MNT W/PINS
BC848CDXV6T5
晶體管(BJT) - 陣列 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS NPN DUAL LP 30V SOT563
DTC123EMT2L
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3
D38999/20WJ4SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 56POS WALL MNT W/SCKT
CMB02070X1500GB200
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag MELF，0207 RES 150 OHM 1W 2% 0207 MELF
D38999/20MB99HN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS WALL MNT W/PINS
CY3083-01
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D38999/20FE26PN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS WALL MNT W/PINS
BD1356S
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR NPN 45V 1.5A TO-126
D38999/20WJ4SC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 56POS SKT
D38999/20MB99JA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 7POS FLANGE W/SKT
CMB02070X1509JB200
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag MELF，0207 RES 15 OHM 1W 5% 0207 MELF
CY3083-01
配件 Cypress Semiconductor Corp MATRIX CARD FOR HI-LO PROG
BC848CW-7-F
晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc SC-70，SOT-323 TRANS BIPO NPN 200MW 30V SC70-3
BD13610STU
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR PNP 45V 1.5A TO-126

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