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DTC123EET1詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/2.2K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123EET1G詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 2.2/2.2K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123EETL詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTC123EETL詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC123EETL詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC123EKAT146詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGIT NPN 50V 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類(lèi)型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

D4-301
配件 Electroswitch 扁平封裝 ASSEMBLY SHAFT 4-6SECT .25"DIA
DTC123EETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS NPN 50V 100MA SOT-416
DS32512N#
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 484-BGA IC LIU DS3/E3/STS-1 484-BGA
DRA3P48B2R
固態(tài) Crydom Co. 模塊 RELAY CONT 3PH 480VAC 2A 120VAC
D38999/26FA98SC
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 3POS INLINE W/SCKT
BUK6211-75C,118
FET - 單 NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
D38999/26JJ24PB-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 24POS PIN
D4-301
配件 Electroswitch 扁平封裝 ASSEMBLY SHAFT 4-6SECT .25"DIA
DS3252+
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 144-BGA，CSPBGA IC LIU DS3/E3/STS-1 144-CSBGA
DRA3P48C4
固態(tài) Crydom Co. 模塊 RELAY CONTACT 3PH 480VAC 4A 48V
D38999/26FA98SE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 3POS STRGHT W/SKT
BUK6217-55C,118
FET - 單 NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428
D38999/26JJ24PN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 24POS PIN
DS32EL0124SQE/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盤(pán) IC DESERIAL W/DDR LVDS 48-LLP
D38999/24MF11HA-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 11POS PIN

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