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DTA123JKAT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGIT PNP 50V 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTA123JKAT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGIT PNP 50V 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTA123JKAT146詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGIT PNP 50V 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTA123JKAT246詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DGTL PNP 100MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-346; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-346; 包裝：帶卷 (TR)

DTA123JKA-TP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L; 系列：-; 制造商：Micro Commercial Co; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3L; 包裝：帶卷 (TR)

D38999/24FB35SE
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晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS PNP 50V 2.2/4.7K SC75-3
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連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKT
D38999/24FB35SN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 13POS JAM NUT W/SKT

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