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BUK9Y19-55B 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BUK9Y19-55B,115詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：46A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.3 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1992pF @ 25V
功率_最大：85W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商設備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：帶卷 (TR)

BUK9Y19-55B,115詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：46A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.3 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1992pF @ 25V
功率_最大：85W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商設備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：剪切帶 (CT)

BUK9Y19-55B,115詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：46A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.3 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1992pF @ 25V
功率_最大：85W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商設備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：Digi-Reel®

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