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BSV236SP H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：Digi-Reel®

BSV236SP H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：剪切帶 (CT)

BSV236SP H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：帶卷 (TR)

BSV236SP L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：帶卷 (TR)

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BSV236SP L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT363-6; 包裝：剪切帶 (CT)

BGA7024,115
RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE SOT89
8-1879670-2
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 86.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
BF074D0474J
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL
BSV18X-MY
端子 - 端子和導(dǎo)線(xiàn)接片 Panduit Corp 徑向 CONN SPLICE BUTT 18-22AWG VINYL
BU1510-E3/45
橋式整流器 Vishay General Semiconductor 4-SIP，BU RECTIFIER BRIDGE 1000V 15A BU
BFC242075103
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
BGA7024,135
RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE SOT89
C901U200JVSDAA7317
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
8-1879670-7
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 97.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
BU15TD3WG-TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線(xiàn)性 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線(xiàn) IC REG LDO 1.5V .2A 5SSOP
BFC242075103
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
BGA7027,115
RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA MMIC AMPLIFIER SOT89
C901U200JVSDAAWL35
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
BF074G0683JDC
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.068UF 250VDC RADIAL
8-1879671-2
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 931K OHM 1/2W 0.1% AXIAL