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BSS7728N詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS7728N詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS7728N詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS7728N H6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS7728N H6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS7728N H6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 26µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

8-1879645-3
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 511 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014G0222K--
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 2200PF 250VDC RADIAL
BU-13-0
配件 Mueller Electric Co 徑向 INSULATOR FOR BU-11 SERIES BLACK
BFC241978203
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.082UF 400VDC RADIAL
BSS7728N
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
BGA-252-291
尖端，噴嘴 OKI/Metcal TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 NOZZLE BGA 25.2MM X 29.1MM
C901U151KVYDBAWL40
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 150PF 400V 10% RADIAL
8-1879645-4
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 536 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014G0272K--
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 2700PF 250VDC RADIAL
BFC242011603
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.016UF 630VDC RADIAL
C901U152MYVDAA7317
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 1500PF 250V 20% RADIAL
BGA2711,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MMIC AMPLIFIER 6TSSOP
8-1879646-6
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 68.1K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BF014G0682K
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 6800PF 250VDC RADIAL
BU-13-0
配件 Mueller Electric Co 徑向 INSULATOR FOR BU-11 SERIES BLACK

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