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BSS138LT1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

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BSS138LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

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