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BSS123LT1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS123LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BSS123LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

BSS123LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS123LT3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BSS123LT3G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 100mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

60771-3
端子 - 環(huán)形 TE Connectivity 徑向，Can - SMD CONN RING UNINS 14-18AWG #8
61407-3
端子 - 快速連接，快速斷連 TE Connectivity 徑向，Can - SMD CONN TAB FASTON .187
BSS123ATC
FET - 單 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
B82432C1564J
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 560UH 5%
C1206C475K3RACAUTO
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1206
B41231C7109M
電容器 EPCOS Inc 10000UF 35V 30X30 SNAP IN
AVS476M63F24T-F
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - SMD CAP ALUM 47UF 63V 20% SMD
60773-2
端子 - 鏟形 TE Connectivity 徑向，Can - SMD CONN SPADE 14-18 AWG #6
6141232
配件 Cherry 徑向，Can - SMD ACTUATOR STNDRD STRGHT LB SUFFIX
B41231C8478M
電容器 EPCOS Inc 4700UF 63V 30X35 SNAP IN
C1206C475K3RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1206
C1210C226K9RALTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 22UF 6.3V 10% X7R 1210
AVS477M10G24B-F
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - SMD CAP ALUM 470UF 10V 20% SMD
6141232
配件 Cherry 徑向，Can - SMD ACTUATOR STNDRD STRGHT LB SUFFIX
6078
香蕉式和端頭 - 插座，插頭 Keystone Electronics 徑向，Can - SMD PLUG BANANA STD INSULATED RED