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BSR31,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSR31,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：Digi-Reel®

BSR31,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 1000MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSR31,135詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP MEDIUM PWR SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSR31,135詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP MEDIUM PWR SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSR31,135詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP MEDIUM PWR SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.35W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3; 包裝：帶卷 (TR)

74LVC1G126Z-7
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Diodes Inc SOT-553 IC BUFF/DVR TRI-ST 1BIT SOT553
C0603C821J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603
BSR31,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
BK1/S501-4-R
保險(xiǎn)絲 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 4A 250V FAST CERAM 5X20 IEC
C2012X6S1H475M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 50V 20% X6S 0805
BQ24105IRHLRQ1
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤 IC LI-ION/POL CHARGE MGMT 20QFN
C0603C391J5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 50V 5% X7R 0603
C0805C106K8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 10V 10% X7R 0805
C0603C821J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 50V 5% NP0 0603
C0603C391K2RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 200V 10% X7R 0603
BQ24105RHLR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤 IC LI-ION/POL CHARGE MGMT 20-QFN
C2012X6S1H475M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 50V 20% X6S 0805
BK1/S501-6.3-R
保險(xiǎn)絲 Cooper Bussmann 5mm x 20mm FUSE 6.3A 250V FAST CRM 5X20 IEC
C0805C106K9PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 0805
74LVC1G139DCURE4
邏輯 - 信號(hào)開關(guān)，多路復(fù)用器，解碼器 Texas Instruments 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 寬） IC DECODER 2-TO-4 LINE US8

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