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BSR14詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 0.8A SOT23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

BSR14詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 0.8A SOT23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

BSR14詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 40V 0.8A SOT23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

BSR14,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BSR14,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BSR14,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

BQ24090DGQR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤 IC BATT CHRGR LI-ION 10MSOP
C0603C390K5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 39PF 50V 10% NP0 0603
BSR
配件 MPD (Memory Protection Devices) 0603（1608 公制） 9V FASTENING RIVET FOR SNAP
C0805C105M8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 10V 20% X7R 0805
C0603C821G5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 50V 2% NP0 0603
74LVC1G126DCKRE4
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC BUFF/DVR TRI-ST N-INV SC705
C200HW-ME04K
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 MEMORY CASSETTE 4K WORD EEPROM
C2012X6S1C475M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 16V 20% X6S 0805
BQ24090DGQT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤 IC BATT CHRGR LI-ION 10MSOP
C0805C105Z3VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V Y5V 0805
C0603C821J3GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 820PF 25V 5% NP0 0603
74LVC1G126DRYRG4
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 6-UFDFN IC BUFF/DVR TRI-ST N-INV 6SON
C0603C391G5GALTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 50V 2% NP0 0603
BQ24092DGQT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤 IC BATT CHARGER LI-ION 10MSOP
C200HW-ME04K
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤 MEMORY CASSETTE 4K WORD EEPROM

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BSR14 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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BSR14,215詳細(xì)規(guī)格

BSR14,215詳細(xì)規(guī)格

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BSR14供應(yīng)商

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C0603C390K5GACTU

BSR

C0805C105M8RACTU

C0603C821G5GACTU

74LVC1G126DCKRE4

C200HW-ME04K

C2012X6S1C475M

BQ24090DGQT

C0805C105Z3VACTU

C0603C821J3GACTU

74LVC1G126DRYRG4

C0603C391G5GALTU

BQ24092DGQT

C200HW-ME04K