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BSP88 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP88 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP88 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：240V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

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PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān) Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA IC SWITCH POWER LOSIDE SOT223-4
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