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BSP220,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：225mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BSP220,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：225mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BSP220,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：225mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP220,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：225mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

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通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 350 OHM 1/2W 1% AXIAL
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