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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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BSC079N03SG 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

BSC079N03SG詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 40A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2230pF @ 15V
功率_最大：60W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：剪切帶 (CT)

BSC079N03SG詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫歐 @ 40A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 30µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2230pF @ 15V
功率_最大：60W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝：帶卷 (TR)

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