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ZXMN6A09DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN6A09DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN6A09DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ZXMN6A09DN8TC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN6A09GTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN6A09GTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

VJ1206Y121KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 120PF 630V 10% X7R 1206
VI-B2M-EW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W
VI-B3Y-CV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
ZXMN6A09GTA
FET - 單 Diodes Inc TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
TS2PCIE2212ZAHR
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Texas Instruments 48-LFBGA IC PCI-EXPRESS SIGNAL SW 48NFBGA
ZFX-S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MONOCHROME C MOUNT CAMERA
VI-B3V-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 50W
Y92F-76
配件 Omron Electronics Inc-IA Div PANEL ADAPTER VERT FOR H7 SER
VJ1206Y122JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 1200PF 1.5KV 5% X7R 1206
TS2PCIE412RUAR
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Texas Instruments 42-WFQFN 裸露焊盤 IC PCIE MUX/DMUX 4CH 2:1 42-QFN
VI-B3Y-CW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
ZFX-S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MONOCHROME C MOUNT CAMERA
Y92F-90
配件 Omron Electronics Inc-IA Div ADAPTER TRACK MOUNTING
VI-B3V-MU
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 200W
VJ1206Y122KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 1200PF 50V 10% X7R 1206