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ZXMN2AMCTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：299pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-DFN（3x2）; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN2AMCTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：299pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-DFN（3x2）; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN2AMCTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.1nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：299pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-DFN（3x2）; 包裝：Digi-Reel®

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