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ZXMC6A09DN8TA詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A，3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMC6A09DN8TA詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A，3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMC6A09DN8TA詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A，3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1407pF @ 40V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

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