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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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US6M1TR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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US6M1TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V，20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.4A，1A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1.4A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TUMT6
包裝：剪切帶 (CT)

US6M1TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V，20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.4A，1A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1.4A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TUMT6
包裝：帶卷 (TR)

US6M1TR詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V，20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.4A，1A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1.4A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：70pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TUMT6
包裝：Digi-Reel®

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