URS1E100MDD 全國供應商、價格、PDF資料
URS1E100MDD詳細規格
- 類別：電容器
- 描述：CAP ALUM 10UF 25V 20% RADIAL
- 系列：RS
- 制造商：Nichicon
- 電容：10µF
- 額定電壓：25V
- 容差：±20%
- 壽命0a0溫度：85°C 時為 2000 小時
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 特點：通用
- 紋波電流：50mA
- ESR（等效串聯電阻）：-
- 阻抗：-
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：徑向，Can
- 尺寸/尺寸：0.197" 直徑（5.00mm）
- 高度_座高（最大）：0.413"（10.50mm）
- 引線間隔：0.079"（2.00mm）
- 表面貼裝占地面積：-
- 包裝：散裝
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.87K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 其它 B&B Electronics - CONVERTER USB TO RS-422/485
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 6800UF 10V 20% RADIAL
- FET - 陣列 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8
- FET - 單 Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
- 通孔電阻器 Riedon 徑向 RES 120 OHM .6W .01% FOIL RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 806K OHM 1/3W 0.1% 1210
- FET - 陣列 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 100UF 50V 20% RADIAL
- FET - 陣列 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
- 通孔電阻器 Riedon 徑向 RES 15K OHM .6W .01% FOIL RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.26K OHM 1/2W 0.1% 2512
0755-83223003 
