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UPA2757GR-E2-AT詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PSOP; 包裝：帶卷 (TR)

UPA2719AGR-E2-AT
FET - 單 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
TO-207-070H
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
UPA2756GR-E2-AT
FET - 陣列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
TNPW2010332KBETF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 332K OHM .40W 0.1% 2010
TO-207-090E
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
UVZ2E331MRH
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL
TNPW080524R0BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
TNPW040249R9BEED
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402
UPA2757GR-E1-AT
FET - 陣列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
TNPW201033K0BEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 33.0K OHM .40W 0.1% 2010
UVZ2E471MRD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 470UF 250V 20% RADIAL
TO-21-130E
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
TNPW080524R3BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.3 OHM 1/8W 0.1% 0805
TNPW04024K02BETD
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 4.02K OHM 1/16W 0.1% 0402
UPA2810T1L-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America 8-HVSON MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON

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