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UNR51A2G0L詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP W/RES 60HFE S-MINI 3P; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：80mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：80MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-85; 供應商設備封裝：S迷你型3-F2; 包裝：剪切帶 (CT)

UNR51A2G0L詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP W/RES 60HFE S-MINI 3P; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：80mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：80MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-85; 供應商設備封裝：S迷你型3-F2; 包裝：帶卷 (TR)

UNR51A2G0L詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP W/RES 60HFE S-MINI 3P; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：80mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：80MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-85; 供應商設備封裝：S迷你型3-F2; 包裝：Digi-Reel®

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晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-70，SOT-323 TRANS PNP W/RES 80HFE SMINI-3
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