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UNR511200L 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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UNR511200L詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS PNP W/RES 60 HFE S-MINI 3P
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：PNP - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：22k
電阻器_發射極333R2444（歐）：22k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：80MHz
功率_最大：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應商設備封裝：S迷你型3-G1
包裝：剪切帶 (CT)

UNR511200L詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS PNP W/RES 60 HFE S-MINI 3P
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：PNP - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：22k
電阻器_發射極333R2444（歐）：22k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：80MHz
功率_最大：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應商設備封裝：S迷你型3-G1
包裝：帶卷 (TR)

UNR511200L詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS PNP W/RES 60 HFE S-MINI 3P
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：PNP - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：22k
電阻器_發射極333R2444（歐）：22k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：80MHz
功率_最大：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
供應商設備封裝：S迷你型3-G1
包裝：Digi-Reel®

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