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UNR421D00A 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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UNR421D00A詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 30 HFE NS-B1
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：47k
電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：150MHz
功率_最大：300mW
安裝類型：通孔
封裝/外殼：NS-B1
供應商設備封裝：NS-B1
包裝：帶盒（TB）

UNR421D00A詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 30 HFE NS-B1
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：47k
電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：150MHz
功率_最大：300mW
安裝類型：通孔
封裝/外殼：NS-B1
供應商設備封裝：NS-B1
包裝：剪切帶 (CT)

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