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UMT1NTN 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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UMT1NTN詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V
功率_最大：150mW
頻率_轉換：140MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝：UMT6
包裝：剪切帶 (CT)

UMT1NTN詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V
功率_最大：150mW
頻率_轉換：140MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝：UMT6
包裝：帶卷 (TR)

UMT1NTN詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V
功率_最大：150mW
頻率_轉換：140MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝：UMT6
包裝：Digi-Reel®

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